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By R. Wiesner (auth.), Dipl.-Ing. J. Wosnik (eds.)

Der Fachtagung "Transistoren bei großer Aussteuerung", die vom Fachausschuß three "Halbleiter" der Nachrichtentechnischen Gesellchaft im VDE (NTG) vom 10. bis thirteen. April 1962 in Aachen veranstaltet wurde, ging eine Diskussionssitzung des Fachausschusses in Hamburg voraus, die ein so starkes Interesse erweckte, daß es dem Fachausschuß richtig erschien, die Hamburger Referate einem größeren Kreis, insbesondere unseren NTG-Mitgliedern, zugänglich zu machen. Das Vortrags programm wurde dann allerdings weitgehend umgestaltet und vor allem durch übersichtsvorträge von R. Wiesner, von W. Engbertund von H. P. Kleinknecht abgerundet. Selbstverständlich sollten die Aachener Vorträge möglichst rasch veröffentlicht werden. Durch die verständnisvolle Unterstüzung, die wir bei Herausgeber und Verlag der NTZ fanden, konn­ ten alle Vorträge in vier aufeinander folgenden Heften der NTZ (Juli bis Oktober 1962) er­ scheinen. In dem vorliegenden Band sind diese Aufsätze nochmals zusammengefaßt. Der Vortrag von F. Weitzsch, der ausführlich schon im Archiv für el. übertragung sixteen (1962), 5.335-343 er­ schien, ist durch ein Referat vertreten; der Vortrag von D. Gossel wurde in erweiterter shape gebracht. So können wir hoffen, allen Wünschen unserer Fachkollegen und interessierten Leser gerecht geworden zu sein.

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20) (38) Durch Wiederholung der Messung mit einem anderen Wert von RT, oder U cc läßt sich wieder reo und Qvo aus zwei solchen Gleichungen berechnen. -ucc SpannungsAnzeige charakterisieren, und zwar ist diese Charakterisierung unabhängig von der Art und Dimensionierung des Schaltkreises, eine Aussage, die bekanntlich für die Schaltzeiten nicht zutrifft. 7. Zusammenfassung und Schlußbemerkung Es ist gezeigt worden, daß das LadungssteuerungsPrinzip geeignet ist, eine ganze Reihe von elektronischen Verstärkerelementen mit guter Näherung zu beschreiben, so daß es möglich wird, diese Elemente durch dieselben Formeln zu beschreiben und ihre grundsätzlichen Hochfrequenzeigenschaften zu vergleichen.

B. des Basiswiderstandes bei bipolaren Transistoren. Sie gestatten jedoch eine vergleichende Abschätzung der grundlegenden Grenzen der Hochfrequenzverstärkung dieser Bauelemente. Dies ist weitgehend von Johnson und Rose [6] durchgeführt und diskutiert worden. Wir wollen hier nur das Allerwichtigste anführen. Es werde eine bestimmte Grenzfrequenz fl und eine be:stimmte Leistung, also eine bestimmte Querschnittsfläche, und deshalb eine bestimmte Ausgangskapazität C 2, verlangt. Dann ist es günstig, die Laufzeit 'l'c klein und die Eingangskapazität Cl groß zu machen.

B. f 1, noch verstärken zu können, ist es nötig, daß die in der positiven HalbweUe aufgebrachte Ladung QB in der negativen Halbwelle wieder von der Steuerelektrode abfließen kann. Zu diesem Zweck muß ein Widerstand R 1 parallel zum Eingang des idealen Verstärkers gelegt werden (Bild 4) von der Größe (12) Bild 4. Zur G renzfrequenz des idealen Verstllrkers Dann ist die Stromverstärkung für niedrige Frequenz unter Benutzung von GI. (11) und (12) ß = a 1 2 = a 1 2 a Ul = all aUla]l gm R l = __1_ _ 2nTc tl (13) Das Stromverstärkungs-Bandbreite-Produkt rst demnach (14) Die Ausgangskapazität C2 ist in der Regel gegeben durch die Größe des Verstärkerelements, d.

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